|
Разновидности и особенности транзисторов 13хххх серии .
|
|
| | Чт, 09.04.2015, 21:51 | Сообщение # 11
|
mystertvister
Постов: 302
Х |
Цитата Сергей-78 (  ) Нет, обычные.
Да нет не обычные - составные . |
|
| | Пт, 10.04.2015, 06:18 | Сообщение # 12
|
Сергей-78
Постов: 6050
U |
Цитата mystertvister ( ) Да нет не обычные - составные .
И где вы подобную лубуду только находите  .
Вот даташит. Не может транзистор с коэфициентом передачи тока 10-40 быть составным. |
|
| | Пт, 10.04.2015, 06:55 | Сообщение # 13
|
cccr2
Постов: 1693
Друзья |
Да уж в своё время возился с пусковыми для ЛДС,много их видов и каждый производитель прав,нас только тэстер и выручает.
Добавлено (10.04.2015, 07:55)
----------------------------------------
|
|
| | Пт, 10.04.2015, 06:59 | Сообщение # 14
|
cccr2
Постов: 1693
Друзья |
А вот с буквой D.
|
|
| | Пт, 10.04.2015, 08:54 | Сообщение # 15
|
mystertvister
Постов: 302
Х |
Значит , если по-китайски производители пишут - это лабуда , а русские интерпритации , по типу ББС , - истина в последней инстанции ?
Вот пример и с буквой D :Добавлено (10.04.2015, 09:54)
---------------------------------------------
Если внимательнее взглянуть на схему , то получается , что дополнительный транзистор служит типа для защиты база - эмиттерного перехода основного транзистора при снижении напряжения коллектора ниже потенциала базы . Кто скажет - для чего это сделано ?
|
|
| | Пт, 10.04.2015, 11:05 | Сообщение # 16
|
cccr2
Постов: 1693
Друзья |
mystertvister, обрати внимание-3DD13003D,и ST13003D-К,у них фамилии разные,а как у ни классификация-только им,самим производителям, известно,я читал что с буквой D,разработан специально для импульсных схем для защиты транзистора,ибо встречал в простых на 13003 они ставятся в схеме,а вот по составному не попадалось.
|
|
| | Пт, 10.04.2015, 14:30 | Сообщение # 17
|
Сергей-78
Постов: 6050
U |
Цитата mystertvister ( ) Если внимательнее взглянуть на схему , то получается , что дополнительный транзистор служит типа для защиты база - эмиттерного перехода основного транзистора при снижении напряжения коллектора ниже потенциала базы . Кто скажет - для чего это сделано ?
Не знаю. На мой взгляд, этот дополнительный транзистор , после снятия импульса с базы, делает форсированное закрытие основного транзистора. Получается что они, менее критичны к драйверам управления.
Хотя серия 3DD это совсем не то, что вы писали в шапке темы. И по любому это не транзистор Дарлингтона. |
|
